RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
77
Около -267% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3077
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link