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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
77
左右 -267% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
21
读取速度,GB/s
3,405.2
18.6
写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3077
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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