RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
20.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3744
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link