RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3744
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link