RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
77
Около -250% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3035
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link