RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
11.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2354
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kllisre 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link