RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2354
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link