RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
77
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
10.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2213
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link