RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
77
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
37
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2213
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link