RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
27700
5300
Около 5.23 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
27700
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3539
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link