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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
77
Por volta de -185% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
27700
5300
Por volta de 5.23 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
27700
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3539
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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