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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
27700
5300
左右 5.23 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
27
读取速度,GB/s
3,405.2
18.5
写入速度,GB/s
2,622.0
15.8
内存带宽,mbps
5300
27700
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
763
3539
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
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