RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
77
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
56
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1964
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link