RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
77
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
56
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1964
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link