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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
77
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
56
读取速度,GB/s
3,405.2
15.5
写入速度,GB/s
2,622.0
8.2
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1964
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
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Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
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