RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3758
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link