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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
17.5
写入速度,GB/s
2,622.0
16.1
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3758
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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