RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
77
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3238
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link