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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
17.2
写入速度,GB/s
2,622.0
13.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3238
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
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Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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