RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
33
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
19
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3542
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link