RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
101
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
101
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
12.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
1382
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link