RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2901
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link