RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3122
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link