RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
37
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3202
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link