RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
UMAX Technology 16GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против UMAX Technology 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
UMAX Technology 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
69
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
UMAX Technology 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
UMAX Technology 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
69
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1926
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
UMAX Technology 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
UMAX Technology 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link