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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
UMAX Technology 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs UMAX Technology 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
UMAX Technology 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
69
左右 46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
UMAX Technology 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
UMAX Technology 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
69
读取速度,GB/s
13.2
14.5
写入速度,GB/s
8.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1926
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
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