RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3434
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link