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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3434
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
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