RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
40
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
9.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
2031
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link