RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
51
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
50
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
12.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2326
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link