RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 7.3
    テスト平均値
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB 考慮すべき理由
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 51
    周辺 -2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 12.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 2326

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
メモリRAM
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
メモリRAM