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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
51
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
50
读取速度,GB/s
9.8
12.5
写入速度,GB/s
8.1
7.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2326
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
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Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
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