RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
44
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
13.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2563
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link