Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Сообщить об ошибке

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 54

Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.5 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.7 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 28
Скорость чтения, Гб/сек

9.2 18.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2105 3601

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB

Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

модули RAM