RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3693
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link