RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
54
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
22
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3115
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link