Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB против Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB

Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,574.4 left arrow 1,539.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    60 left arrow 65
    Около -8% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 5300
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 60
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,858.9 left arrow 3,720.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,574.4 left arrow 1,539.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    607 left arrow 555
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения