Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB

Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    1,574.4 left arrow 1,539.4
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    60 left arrow 65
    Intorno -8% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 5300
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    65 left arrow 60
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,858.9 left arrow 3,720.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,574.4 left arrow 1,539.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    607 left arrow 555
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti