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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Note globale
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
1,574.4
1,539.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
60
65
Autour de -8% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
5300
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
65
60
Vitesse de lecture, GB/s
3,858.9
3,720.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,574.4
1,539.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
6400
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
607
555
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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