RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,574.4
1,539.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
65
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
65
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
3,720.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
1,539.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
6400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
555
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link