RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2880
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link