RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
54
Около -32% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
41
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
1512
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link