RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2382
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link