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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
54
左右 -108% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
26
读取速度,GB/s
9.2
15.6
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2382
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
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