RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Kingston 9905624-045.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
93
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
93
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
1670
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link