RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
20.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3990
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link