RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
63
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
39
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2159
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link