Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB против SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

Средняя оценка

SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB

SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 54

Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.2 9.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.4 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

14900 14200

Около 1.05 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

54 28
Скорость чтения, Гб/сек

9.9 12.2
Скорость записи, Гб/сек

7.5 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14200 14900

Other

Описание

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота

no data 9-10-9-28 / 1866 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2159 2601

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB

SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB

SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9905625-142.A00G 16GB

Kingston 9905625-142.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

модули RAM