RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2998
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link