RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2711
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link